报告题目：晶格调控与负热膨胀

时间：2024年6月26日上午9：30-11：00

地点：测试楼B109

报告人：邢献然教授

报告人简介：

邢献然，北京科技大学教授，固体化学研究所所长。1988年7月安庆师范学院获化学专业学士学位，1994年3月北京科技大学物理化学系获博士学位。教育部创新团队负责人，国务院学位委员会学科评议组成员/召集人，国内外10余种期刊编委等。

一直从事固体化学的教学研究工作，在新物质的合成、局域结构、磁结构以及负热膨胀和新物性的关联等前沿领域做出系统性和创新性成果。负责建成了基于我国散裂中子源通用粉末衍射谱仪中子全散射PDF技术测试平台，创建了固体局域结构与全散射技术专业委员会。发表学术论文300余篇，包括Science(2篇)、J. Am. Chem. Soc. (22篇)、Phys. Rev. Letts. (5篇)、PNAS (1篇)、Nature Communs. (8篇)、Adv. Maters. (10篇)，以及Chem. Rev.、Chem. Soc. Rev.、Acc. Chem. Rev.等系列综述论文，授权国家发明专利30件，获省部级奖励4项。

报告简介：

晶态物质的基本几何结构单元是晶格，晶格与电荷、自旋、轨道耦合作用呈现丰富多彩的物理化学性能；其中，晶格随温度升高收缩表现出负热膨胀行为（NTE），源于铁电自发极化、磁体积效应、低频声子振动、电荷输运等。化学合成的多样性为固态晶格调控提供灵活的策略，从而为NTE多功能固态物质的制备提供途径。我们从化学调控固体晶格与负热膨胀入手，结合现代大科学装置，研究固体的晶体结构、局域结构、磁结构、电子与声子结构，揭示负热膨胀与晶格、电荷、自旋、轨道作用的本质关联，创制出超大极化铁电体、高性能因瓦合金、新颖电输运固体等多功能材料，以及新型存储器件，为相关领域的发展提供基础。